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厂商型号

QSD723 

产品描述

Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin TO-18 Bulk

内部编号

3-QSD723

订购说明

质量保障

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QSD723产品详细规格

规格书 QSD723 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 250
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
- 集电极电流(Ic)(最大) -
电流 - 暗(ID)(最大值) 100nA
波长 880nm
可视角度 40°
功率 - 最大 100mW
安装类型 Through Hole
取向 Top View
包/盒 TO-18-2
包装 2TO-18
类型 IR Chip
光电晶体管类型 Phototransistor
最大的发射极集电极电压 5 V
最大集电极电流 25 mA
峰值波长 880 nm
镜片颜色 Black Transparent
透镜形状类型 Domed
镜头规格 4.83 mm
观看方向 Top View
半强度角度 20 °
最大上升时间 8000(Typ) ns
极性 NPN
截止滤光片 Visible Cut-off
标准包装 Bulk
产品种类 Phototransistors
RoHS RoHS Compliant
最大功率耗散 100 mW
最大暗电流 100 nA
封装/外壳 TO-18
集电极 - 发射极最大电压VCEO 30 V
集电极 - 发射极击穿电压 30 V
下降时间 8 us
最高工作温度 + 100 C
最低工作温度 - 40 C
封装 Bulk
上升时间 8 us
工厂包装数量 250
零件号别名 QSD723_NL
寿命 Obsolete
最大光电流 10000
安装 Through Hole
最大集电极发射极饱和电压 0.4
引脚数 2
PCB 2
最大功率耗散 100
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的通道数 1
最大下降时间 8000(Typ)
最大暗电流 100
峰值波长 880
最低工作温度 -40
供应商封装形式 TO-18
标准包装名称 TO-206-AA
最高工作温度 100
最大的发射极集电极电压 5
半强度角度 20
最大集电极发射极电压 30
包装高度 5.97(Max) + 0.76
Package Diameter 5.46
最大集电极电流 25
最大上升时间 8000(Typ)
铅形状 Through Hole
电流 - 暗( Id)(最大) 100nA
定位 Top View
安装类型 Through Hole
系列 *
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
可视角度 40°
功率 - 最大 100mW
波长 880nm
封装/外壳 TO-18-2
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

QSD723系列产品

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