标准包装 | 2,000 |
当前 - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 10mA @ 20V |
漏极至源极电压(VDSS) | - |
当前 Drain (Id) - Max | - |
FET 型 | P-Channel |
- 击穿电压 (V(BR)GSS) | 30V |
电压 - Cutoff (VGS off) @ Id | 10V @ 1µA |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 45pF @ 15V |
电阻 - RDS(ON) | 75 Ohm |
安装类型 | Through Hole |
包装材料 | Bulk |
包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
功率 - 最大 | 350mW |
产品种类 | JFET |
RoHS | RoHS Compliant |
晶体管极性 | P-Channel |
漏极电流(智能决策支持系统在Vgs = 0 ) | 0.03 mA to 0.09 mA |
源极击穿电压 | 30 V |
配置 | Single |
安装风格 | Through Hole |
封装/外壳 | TO-92 |
封装 | Bulk |
栅源截止电压 | 10 V |
功率耗散 | 350 mW |
抗漏源极RDS ( ON) | 75 Ohms |
工厂包装数量 | 2000 |
寿命 | Obsolete |
供应商封装形式 | TO-92 |
最大门源电压 | 30 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-92 |
渠道类型 | P |
最大功率耗散 | 350 |
最大漏极栅极电压 | -30 |
最低工作温度 | -55 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Through Hole |
电压 - 击穿( V(BR ) GSS ) | 30V |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 漏极(Idss ) @ VDS ( VGS = 0 ) | 10mA @ 20V |
电阻 - RDS(ON) | 75 Ohm |
供应商设备封装 | TO-92-3 |
电压 - 切断(VGS关)@ Id | 10V @ 1µA |
FET型 | P-Channel |
功率 - 最大 | 350mW |
标准包装 | 2,000 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 45pF @ 15V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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