图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 MA04A Pkg Drawing |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 1.5A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 110V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 1.5V @ 1mA, 1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 10nA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 2000 @ 1A, 5V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 频率转换 | 150MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-261-4, TO-261AA |
| 供应商器件封装 | SOT-223-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 4SOT-223 |
| 配置 | Single |
| 类型 | NPN |
| 最大集电极发射极电压 | 110 V |
| 峰值直流集电极电流 | 1.5 A |
| 最小直流电流增益 | 200@2A@5V|300@1.5A@5V|2000@1A@5V|5000@500mA@5V|2000@50mA@5V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.25mA@250mA|1.5@1mA@1A V |
| 最大集电极基极电压 | 140 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大的基射极饱和电压 | 1.8@1mA@1A |
| 标准包装名称 | SOT-223 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最大集电极发射极电压 | 110 |
| 最大基地发射极电压 | 10 |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 1.5 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.25mA@250mA|1.5@1mA@1A |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 140 |
| 供应商封装形式 | SOT-223 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 引脚数 | 4 |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 1.5A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 150MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.5V @ 1mA, 1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 10nA (ICBO) |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 110V |
| 供应商设备封装 | SOT-223-3 |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 封装/外壳 | TO-261-4, TO-261AA |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 2000 @ 1A, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | NZT605CT |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 产品种类 | Transistors Darlington |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 10 V |
| 系列 | NZT605 |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 200 |
| 集电极最大直流电流 | 1.5 A |
| 最大集电极截止电流 | 0.01 uA |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 110 V |
| 单位重量 | 0.006632 oz |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 140 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 1.5 A |
| 集电极 - 基极电压 | 140 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 110 V |
| 发射极 - 基极电压 | 10 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-223 |
| 极性 | NPN |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 基射极饱和电压（最大值） | 1.8 V |
| 弧度硬化 | No |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1 V |
| 集电极电流（DC ） | 1.5 A |
| 频率 - 跃迁 | 150MHz |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 1.5V @ 1mA, 1A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 10nA (ICBO) |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 2000 @ 1A, 5V |
| 封装/外壳 | TO-261-4, TO-261AA |
| 功率 - 最大值 | 1W |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 1.5A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 110V |
| 身高 | 1.6 mm |
| 长度 | 6.5 mm |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
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