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fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-92 |
| 配置 | Single |
| 类型 | PNP |
| 最大集电极发射极电压 | 30 V |
| 峰值直流集电极电流 | 1.2 A |
| 最小直流电流增益 | 50000@10mA@5V|20000@100mA@5V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.5@0.1mA@100mA V |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Ammo Pack |
| 供应商封装形式 | TO-92 |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最大集电极发射极电压 | 30 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 10 |
| 封装 | Ammo |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.5@0.1mA@100mA |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 30 |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 1.2 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 铅形状 | Formed |
| 引脚数 | 3 |
| 最大功率耗散 | 625 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 1.2A |
| 晶体管类型 | PNP - Darlington |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 100MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.5V @ 100µA, 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 20000 @ 100mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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