图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
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| 文档 |
Mold Compound 12/Dec/2007 SOT23 Manufacturing Source 31/May2013 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 1.2A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 1.5V @ 500µA, 500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1µA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 14000 @ 500mA, 5V |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 频率转换 | - |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | NPN Transistors###/catalog/en/partgroup/npn-transistors/14957?mpart=MMBT6427&vendor=261&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| 包装 | 3SOT-23 |
| 配置 | Single |
| 类型 | NPN |
| 最大集电极发射极电压 | 40 V |
| 峰值直流集电极电流 | 1.2 A |
| 最小直流电流增益 | 10000@10mA@5V|20000@100mA@5V|14000@500mA@5V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.2@0.5mA@50mA|1.5@0.5mA@500mA V |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 产品种类 | Transistors Darlington |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | NPN |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 12 V |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 40 V |
| 集电极最大直流电流 | 1.2 A |
| 最大集电极截止电流 | 0.05 uA |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | SOT-23 |
| 封装 | Reel |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 10000 |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 零件号别名 | MMBT6427_NL |
| 最大的基射极饱和电压 | 2@0.5mA@500mA |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最大集电极发射极电压 | 40 |
| 最大基地发射极电压 | 12 |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 1.2 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.2@0.5mA@50mA|1.5@0.5mA@500mA |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 40 |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 引脚数 | 3 |
| 最大功率耗散 | 350 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 1.2A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.5V @ 500µA, 500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V |
| 供应商设备封装 | SOT-23 |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 14000 @ 500mA, 5V |
| 其他名称 | MMBT6427FSTR |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 系列 | MMBT6427 |
| 单位重量 | 0.002116 oz |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 1.2 A |
| 集电极 - 基极电压 | 40 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 40 V |
| 发射极 - 基极电压 | 12 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-23 |
| 极性 | NPN |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 基射极饱和电压（最大值） | 2 V |
| 弧度硬化 | No |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.2 V |
| 直流电流增益 | 10000 |
| 集电极电流（DC ） | 1.2 A |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 1.5V @ 500µA, 500mA |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1µA |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 14000 @ 500mA, 5V |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 功率 - 最大值 | 350mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 1.2A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 40V |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 身高 | 0.93 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 长度 | 2.92 mm |
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