Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 供应商封装形式 | TO-3P |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 |
| 最大连续集电极电流 | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-3P |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Rail |
| 最大集电极发射极电压 | 1200 |
| 最大功率耗散 | 186000 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 栅极电荷 | 120nC |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 30A |
| 安装类型 | Through Hole |
| 标准包装 | 30 |
| 开关能量 | 3.6mJ |
| 时间Td（开/关） @ 25°C | 80ns/210ns |
| Vce（开） （最大值） Vge，Ic时 | 2.4V @ 15V, 15A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 1200V |
| 供应商设备封装 | TO-3PN |
| 反向恢复时间（trr ） | 210ns |
| 功率 - 最大 | 186W |
| 输入类型 | Standard |
| 封装/外壳 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| IGBT类型 | NPT and Trench |
| 测试条件 | 600V, 15A, 20 Ohm, 15V |
| 电流 - 集电极脉冲（ ICM ） | 45A |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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