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数量:4263 |
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| 规格书 |
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| Status | Active |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 源极击穿电压 | +/- 16 V |
| 连续漏极电流 | 6.9 A, 8.2 A |
| RDS（ON） | 15 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 功率耗散 | 2 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOIC-8 Narrow |
| 典型关闭延迟时间 | 27 ns, 50 ns |
| 上升时间 | 7 ns, 8 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | No |
| 下降时间 | 4 ns, 17 ns |
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