图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
期货 |
|
| 规格书 |
 |
| Status | Active |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 6.3 A, 8.6 A |
| RDS（ON） | 11 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 功率耗散 | 2 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOIC-8 Narrow |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns, 34 ns |
| 上升时间 | 14 ns, 10 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | No |
| 下降时间 | 7 ns, 14 ns |
FDS6982S_Q相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
