图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 连续漏极电流 | - 80 A |
| 正向跨导 - 闵 | 16 S |
| RDS（ON） | 3.9 mOhms, 6.4 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 功率耗散 | 2.4 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | Power 33-8 |
| 典型关闭延迟时间 | 193 ns |
| 上升时间 | 37 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | - 12 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 87 ns |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 12V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | Power33 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 3.9 mOhm @ 22A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.4W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1250pF @ 6V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 80A (Tc) |
| 其他名称 | FDMC610PTR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 99nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 高度 | 1mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 3.4mm |
| 典型输入电容值@Vds | 890 pF@ -6 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 6.4 mΩ |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | P |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 48 W |
| 最大栅源电压 | ±8 V |
| 宽度 | 3.4mm |
| 尺寸 | 3.4 x 3.4 x 1mm |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V |
| 最大漏源电压 | 12 V |
| 典型接通延迟时间 | 24 ns |
| 典型关断延迟时间 | 193 ns |
| 封装类型 | Power 33 |
| 最大连续漏极电流 | 80 A |
| 引脚数目 | 8 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 71 nC @ -4.5 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 12 V |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | PowerTrench |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | - 80 A |
| 长度 | 3.3 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.9 mOhms |
| 系列 | FDMC610P |
| 身高 | 0.8 mm |
| 典型导通延迟时间 | 24 ns |
| Pd - Power Dissipation | 2.4 W |
| 技术 | Si |
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