Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 额定电流 | 2.9A |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电压 - 额定 | 30V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | MicroFET 2x2 |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 应用范围 | * |
| 封装/外壳 | 6-WDFN Exposed Pad |
| 晶体管类型 | NPN, P-Channel |
| 其他名称 | FDMA1430JPCT |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 连续漏极电流 | - 2.9 A |
| 系列 | FDMA1430 |
| 单位重量 | 0.003527 oz |
| RDS（ON） | 90 mOhms |
| 功率耗散 | 1.5 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导 - 闵 | 11 S |
| 典型关闭延迟时间 | 107 ns |
| 上升时间 | 10 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | - 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 33 ns |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 2mm |
| 典型输入电容值@Vds | 438 pF @ -15 V |
| 系列 | PowerTrench |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 0.725mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 240 mΩ |
| 最大栅阈值电压 | 1V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | P |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 1.5 W |
| 最大栅源电压 | ±8 V |
| 宽度 | 2mm |
| 尺寸 | 2 x 2 x 0.725mm |
| 正向二极管电压 | 1.2V |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 典型接通延迟时间 | 4.8 ns |
| 典型关断延迟时间 | 67 ns |
| 封装类型 | MLP |
| 最大连续漏极电流 | 2.9 A |
| 引脚数目 | 6 |
| 正向跨导 | 11S |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7.2 nC @ 4.5 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | - 1 V |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 商品名 | PowerTrench |
| Id - Continuous Drain Current | - 2.9 A |
| 长度 | 2 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 90 mOhms |
| 身高 | 0.75 mm |
| 典型导通延迟时间 | 10 ns |
| Pd - Power Dissipation | 1.5 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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