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厂商型号:

FDG1024NZ

芯天下内部编号:
3-FDG1024NZ
生产厂商:

Fairchild Semiconductor

microsemi
描述:
M
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
Maximum Gate Source Voltage ±8
安装 Surface Mount
Package Width 1.25
PCB 6
最大功率耗散 360
Maximum Drain Source Voltage 20
欧盟RoHS指令 Compliant
Maximum Drain Source Resistance 175@4.5V
每个芯片的元件数 2
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SC-70
标准包装名称 SOT-323
最高工作温度 150
渠道类型 N
Package Length 2
引脚数 6
通道模式 Enhancement
Package Height 1(Max)
Maximum Continuous Drain Current 1.2
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 1.2A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 20V
供应商设备封装 SC-70-6
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
FET型 2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大 300mW
标准包装 3,000
输入电容(Ciss ) @ VDS 150pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS 2.6nC @ 4.5V
封装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 FDG1024NZFSCT
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
最低工作温度 - 55 C
连续漏极电流 1.2 A
系列 FDG
封装/外壳 SC-70-6
单位重量 0.000988 oz
RDS(ON) 321 mOhms
功率耗散 0.36 W
安装风格 SMD/SMT
正向跨导 - 闵 4 S
典型关闭延迟时间 11 ns
配置 Dual
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 20 V
RoHS RoHS Compliant
栅源电压(最大值) �8 V
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SC-70
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 2
工作温度分类 Military
漏源导通电压 20 V
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :1.2A
Drain Source Voltage Vds :20V
On Resistance Rds(on) :0.16ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :4.5V
Threshold Voltage Vgs :800mV
功耗 :360mW
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SC-70
No. of Pins :6
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (16-Dec-2013)
Weight (kg) 0.01
Tariff No. 85412900

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