Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 10 V |
| 连续漏极电流 | 100 A |
| 系列 | FDD9407 |
| RDS（ON） | 2 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3 |
| 配置 | Single |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 86 nC |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 6.73mm |
| 典型输入电容值@Vds | 6390 pF @ 25 V |
| 系列 | PowerTrench |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 2.39mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 3.2 mΩ |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 227 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 6.22mm |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 典型接通延迟时间 | 27 ns |
| 典型关断延迟时间 | 42 ns |
| 封装类型 | DPAK |
| 最大连续漏极电流 | 100 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| 商品名 | PowerTrench |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | 100 A |
| 身高 | 2.39 mm |
| 长度 | 6.73 mm |
| 通道数 | 1 Channel |
| Qg - Gate Charge | 86 nC |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 技术 | Si |
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