图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 FDC8878 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 8A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 16 mOhm @ 8A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 18nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1040pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 800mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SOT-6 |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 8A (Ta), 8A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | 6-SSOT |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 16 mOhm @ 8A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 800mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1040pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 18nC @ 10V |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 其他名称 | FDC8878CT |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 8 A |
| 系列 | FDC8878 |
| 单位重量 | 0.001270 oz |
| RDS（ON） | 16 mOhms |
| 功率耗散 | 0.8 W |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | SSOT-6 |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 3mm |
| 典型输入电容值@Vds | 782 pF @ 15 V |
| 系列 | PowerTrench |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 1mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 21 mΩ |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 1.6 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 1.7mm |
| 尺寸 | 3 x 1.7 x 1mm |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 典型接通延迟时间 | 6 ns |
| 典型关断延迟时间 | 17 ns |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 最大连续漏极电流 | 8 A |
| 引脚数目 | 6 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | PowerTrench |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 8 A |
| 长度 | 2.9 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 16 mOhms |
| 身高 | 1.1 mm |
| Pd - Power Dissipation | 800 mW |
| 技术 | Si |
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