图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:762 |
|
最小起订量:1 美国加州 当天发货,5-8个工作日送达. |
|
Status | Active |
安装风格 | SMD/SMT |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
配置 | Single |
源极击穿电压 | +/- 16 V |
连续漏极电流 | 76 A |
RDS(ON) | 6 mOhms |
封装 | Reel |
功率耗散 | 70 W |
最低工作温度 | - 55 C |
封装/外壳 | TO-263AB |
典型关闭延迟时间 | 89 ns |
上升时间 | 11 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 30 V |
RoHS | No |
下降时间 | 31 ns |
FDB6676S_Q相关搜索