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厂商型号

BD13710S 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

内部编号

3-BD13710S

#1

期货
1 ¥1.86
25 ¥1.649
100 ¥1.488
250 ¥0.942
500 ¥0.812
1000 ¥0.701
2000 ¥0.645

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BD13710S产品详细规格

规格书 BD13710S datasheet 规格书
BD135/137/139
文档 Multiple Devices 14/Mar/2011
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 250
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 1.5A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 63 @ 150mA, 2V
功率 - 最大 1.25W
频率转换 -
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-225AA, TO-126-3
供应商器件封装 TO-126
包装材料 Bulk
集电极最大直流电流 1.5
最低工作温度 -55
安装 Through Hole
包装宽度 3.25
PCB 3
最大功率耗散 1250
类型 NPN
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 60
最大集电极发射极电压 60
供应商封装形式 TO-126
标准包装名称 TO-225-AA
最高工作温度 150
包装长度 8
引脚数 3
最小直流电流增益 25@5mA@2V|25@0.5A@2V|63@150mA@2V
包装高度 11
最大基地发射极电压 5
封装 Bulk
标签 Tab
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1.5A
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 50mA, 500mA
标准包装 250
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
供应商设备封装 TO-126
功率 - 最大 1.25W
封装/外壳 TO-225AA, TO-126-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 63 @ 150mA, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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