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Thumbnail BCV27 Thumbnail BCV27 Thumbnail BCV27 Thumbnail BCV27 Thumbnail BCV27 Thumbnail BCV27 Thumbnail BCV27
厂商型号:

BCV27

芯天下内部编号:
3-BCV27
生产厂商:

fairchild semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3SOT-23
配置 Single
类型 NPN
最大集电极发射极电压 30 V
峰值直流集电极电流 1.2 A
最小直流电流增益 4000@1mA@5V|10000@10mA@5V|20000@100mA@5V
最大集电极发射极饱和电压 1@0.1mA@100mA V
最大集电极基极电压 40 V
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大的基射极饱和电压 1.5@0.1mA@100mA
标准包装名称 SOT-23
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最大集电极发射极电压 30
最大基地发射极电压 10
封装 Tape and Reel
Maximum Continuous DC Collector Current 1.2
最大集电极发射极饱和电压 1@0.1mA@100mA
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 40
供应商封装形式 SOT-23
最低工作温度 -55
铅形状 Gull-wing
引脚数 3
最大功率耗散 350
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1.2A
晶体管类型 NPN - Darlington
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 220MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1V @ 100µA, 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
供应商设备封装 SOT-23
功率 - 最大 350mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 20000 @ 100mA, 5V
其他名称 BCV27TR
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
外形尺寸 2.92 x 1.3 x 0.93mm
身高 0.93mm
长度 2.92mm
最大的基射极饱和电压 1.5 V
最大集电极截止电流 0.0001mA
最大连续集电极电流 1.2 A
最大基地发射极电压 10 V
最高工作温度 +150 °C
最低工作温度 -55 °C
包装类型 SOT-23
宽度 1.3mm
工厂包装数量 3000
产品种类 Transistors Darlington
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 10 V
系列 BCV27
直流集电极/增益hfe最小值 4000
集电极最大直流电流 1.2 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 30 V
单位重量 0.002116 oz
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 40 V
零件号别名 BCV27_NL
RoHS RoHS Compliant
集电极电流(DC ) 1.2 A
集电极 - 基极电压 40 V
集电极 - 发射极电压 30 V
集电极 - 发射极饱和电压 1 V
发射极 - 基极电压 10 V
工作温度范围 -55C to 150C
极性 NPN
元件数 1
直流电流增益 4000
工作温度分类 Military
基射极饱和电压(最大值) 1.5 V
弧度硬化 No
集电极电流( DC)(最大值) 1.2 A
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :30V
Transition Frequency ft :220MHz
功耗 :350mW
DC Collector Current :1.2A
DC Current Gain hFE :20000
Operating Temperature Min :-55°C
Weight (kg) 0
Tariff No. 85412100
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Collector Emitter Voltage Vces :1V
连续集电极电流Ic最大 :1.2A
Current Ic Continuous a Max :1.2A
Current Ic hFE :100mA
Device Marking :BCV27
Gain Bandwidth ft Typ :220MHz
Hfe Min :20000
No. of Transistors :1
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Power Dissipation Ptot Max :350mW
SMD Marking :FF
Voltage Vcbo :40V
案例 SOT23
Transistor kind Darlington
Transistor type NPN
功率 250mW
Collector-emitter voltage 30V
Multiplicity 1
极化 bipolar
Gross weight 0.03 g
Collector current 500mA
电流增益 10k
Collective package [pcs] 3000
spg 3000

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