图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
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| 文档 |
Mold Compound 12/Dec/2007 SOT23 Manufacturing Source 31/May2013 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 晶体管类型 | PNP - Darlington |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 1.2A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 1V @ 100µA, 100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 20000 @ 100mA, 5V |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 频率转换 | 220MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | PNP Transistors###/catalog/en/partgroup/pnp-transistors/15191?mpart=BCV26&vendor=261&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| 包装 | 3SOT-23 |
| 配置 | Single |
| 类型 | PNP |
| 最大集电极发射极电压 | 30 V |
| 峰值直流集电极电流 | 1.2 A |
| 最小直流电流增益 | 4000@1A@5V|10000@10mA@5V|20000@100mA@5V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.1mA@100mA V |
| 最大集电极基极电压 | 40 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大的基射极饱和电压 | 1.5@0.1mA@100mA |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最大集电极发射极电压 | 30 |
| 最大基地发射极电压 | 10 |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 1.2 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.1mA@100mA |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 40 |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 引脚数 | 3 |
| 最大功率耗散 | 350 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 1.2A |
| 晶体管类型 | PNP - Darlington |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 220MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1V @ 100µA, 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| 供应商设备封装 | SOT-23 |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 20000 @ 100mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | BCV26FSCT |
| 外形尺寸 | 2.92 x 1.3 x 0.93mm |
| 身高 | 0.93mm |
| 长度 | 2.92mm |
| 最大的基射极饱和电压 | 1.5 V |
| 最大集电极截止电流 | 0.0001mA |
| 最大连续集电极电流 | 1.2 A |
| 最大基地发射极电压 | 10 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SOT-23 |
| 宽度 | 1.3mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | Transistors Darlington |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 10 V |
| 系列 | BCV26 |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 4000 |
| 集电极最大直流电流 | 1.2 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 单位重量 | 0.002116 oz |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 40 V |
| 零件号别名 | BCV26_NL |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 1.2 A |
| 集电极 - 基极电压 | 40 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 30 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1 V |
| 发射极 - 基极电压 | 10 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | PNP |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 基射极饱和电压（最大值） | 1.5 V |
| 弧度硬化 | No |
| 直流电流增益 | 4000 |
| 集电极电流（DC ） | 1.2 A |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :30V |
| Transition Frequency ft | :220MHz |
| 功耗 | :350mW |
| DC Collector Current | :1.2A |
| DC Current Gain hFE | :20000 |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOT-23 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Collector Emitter Voltage Vces | :1V |
| 连续集电极电流Ic最大 | :1.2A |
| Current Ic Continuous a Max | :1.2A |
| Current Ic hFE | :100mA |
| Device Marking | :BCV26 |
| Gain Bandwidth ft Typ | :220MHz |
| Hfe Min | :20000 |
| No. of Transistors | :1 |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Power Dissipation Ptot Max | :350mW |
| SMD Marking | :FD |
| Voltage Vcbo | :40V |
| Weight (kg) | 0.000033 |
| Tariff No. | 85412900 |
| associated | RE901 BCV26 |
BCV26也可以通过以下分类找到
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