所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 6PDIP |
| 输出类型 | DC |
| 每个芯片的通道数 | 1 |
| 典型正向电压 | 1.2 V |
| 最大集电极发射极电压 | 80 V |
| 最大正向电压 | 1.5 V |
| 最小绝缘电压 | 5000 Vrms |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 500 mV |
| 最大输入电流 | 50 mA |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大反向电压 | 6 V |
| 工作温度 | -55 to 110 °C |
| 标准包装 | Bulk |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 产品种类 | Transistor Output Optocouplers |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 输入类型 | DC |
| 隔离电压 | 7500 Vrms |
| 最大正向二极管电压 | 1.5 V |
| 最大输入二极管电流 | 60 mA |
| 最高工作温度 | + 100 C |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | PDIP-6 |
| 系列 | 4N25 |
| 封装 | Bulk |
| 最大反向二极管电压 | 6 V |
| 输出设备 | NPN Phototransistor |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 零件号别名 | 4N25M_NL |
| 电流传输比(最小值) | 20% @ 10mA |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度(最大) | 500mV |
| 电压 - 输出 | 30V |
| 通道数 | 1 |
| 电流 - DC正向(If ) | 60mA |
| 电压 - 隔离 | 7500Vpk |
| 封装/外壳 | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 单位重量 | 0.030159 oz |
| 集电极 - 发射极电压 | 30 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.5 V |
| 功率耗散 | 0.25 W |
| 安装 | Through Hole |
| 工作温度范围 | -40C to 100C |
| 包装类型 | PDIP |
| 引脚数 | 6 |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Industrial |
| 正向电压 | 1.5 V |
| 正向电流 | 60 mA |
| 反向击穿电压 | 6 V |
| 弧度硬化 | No |
| 案例 | DIP6 |
| Insulation voltage | 7.5kV |
| Collector-emitter voltage | 30V |
| 开启时间 | 2ns |
| Type of semiconductor component | optocoupler |
| 关断时间 | 2ns |
| 输出类型 | transistor |
| Gross weight | 0.86 g |
| Number of channels | 1 |
| Multiplicity | 1 |
| Current transfer ratio at forward current | 20%@10mA |
| Collective package [pcs] | 1000 |
| spg | 1000 |
| 输入类型 | DC |
| 电压 - 隔离 | 7500Vpk |
| 电流传输比(最小值) | 20% @ 10mA |
| 封装/外壳 | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 通道数 | 1 |
| 装配类型 | Through Hole |
| 输出类型 | Transistor with Base |
| Vce 饱和值(最大值) | 500mV |
| 典型上升时间 | 2µs |
| 输出设备 | 晶体管 |
| 最大正向电压 | 1.5V |
| 安装类型 | 通孔安装 |
| 隔离电压 | 4170 V 有效值 |
| 封装类型 | DIP-W |
| 针数目 | 6 |
| 典型下降时间 | 2µs |
| 输入电流类型 | 直流 |
| 通道数目 | 1 |
| 宽度 | 6.6 mm |
| Vr - Reverse Voltage | 6 V |
| If - Forward Current | 60 mA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 配置 | 1 Channel |
| Vf - Forward Voltage | 1.5 V |
| 长度 | 8.89 mm |
| 身高 | 5.08 mm |
| 集电极 - 发射极击穿电压 | 100 V |
| Pd - Power Dissipation | 250 mW |
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