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fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-92 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 15 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.05 A |
| 最小直流电流增益 | 20@3mA@1V|50@8mA@10V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.4@1mA@10mA V |
| 最大集电极基极电压 | 30 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 350 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 0.05 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 输出功率 | 0.03(Min) |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 350 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 4.5 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大集电极发射极电压 | 15 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 30 |
| 供应商封装形式 | TO-92 |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 铅形状 | Formed |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 50mA |
| 噪声系数（dB典型值@频率） | 6dB @ 60MHz |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 15V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 增益 | 15dB |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 50 @ 8mA, 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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