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Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 600mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 250MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 750mV @ 50mA, 500mA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 封装 | Bulk |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 150mA, 1V |
| 晶体管极性 | :NPN |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :40V |
| 功耗 | :625mW |
| Transistor Case Style | :TO-92 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Collector Emitter Voltage Vces | :400mV |
| Current Ic Continuous a Max | :500mA |
| Gain Bandwidth ft Typ | :250MHz |
| Hfe Min | :100 |
| 端接类型 | :Through Hole |
| Weight (kg) | 0.00001 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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