规格书 |
![2N5461_D26Z datasheet 规格书](//oneic.com/images/pdf.gif)
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Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
2,000 |
电流 - 漏(IDSS),VDS(VGS = 0) |
2mA @ 15V |
漏极至源极电压(VDSS) |
- |
漏电流(ID) - 最大 |
- |
FET 型
|
P-Channel |
- 击穿电压(V(BR)的GSS) |
40V |
- 截止电压(VGS的关闭)@ ID |
1V @ 1µA |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
7pF @ 15V |
电阻 - RDS(ON) |
- |
安装类型
|
Through Hole |
包装材料
|
Tape & Reel (TR) |
包/盒
|
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
供应商器件封装 |
TO-92-3 |
功率 - 最大 |
350mW |
供应商封装形式 |
TO-92 |
最大门源电压 |
40 |
欧盟RoHS指令 |
Compliant |
最高工作温度 |
150 |
标准包装名称 |
TO-92 |
渠道类型 |
P |
封装 |
Tape and Reel |
最大功率耗散 |
350 |
最大漏极栅极电压 |
-40 |
最低工作温度 |
-55 |
配置 |
Single |
引脚数 |
3 |
铅形状 |
Formed |
电压 - 击穿( V(BR ) GSS ) |
40V |
安装类型 |
Through Hole |
电流 - 漏极(Idss ) @ VDS ( VGS = 0 ) |
2mA @ 15V |
供应商设备封装 |
TO-92-3 |
电压 - 切断(VGS关)@ Id |
1V @ 1µA |
FET型 |
P-Channel |
功率 - 最大 |
350mW |
标准包装 |
2,000 |
封装/外壳 |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
7pF @ 15V |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 |
2000 |
产品种类 |
JFET |
晶体管极性 |
P-Channel |
源极击穿电压 |
40 V |
正向跨导 - 闵 |
0.0015 S to 0.005 S |
安装风格 |
Through Hole |
功率耗散 |
350 mW |
漏源电流在Vgs = 0 |
- 2 mA to - 9 mA |
RoHS |
RoHS Compliant |