fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 2DO-35 |
| 配置 | Single |
| 标称齐纳电压 | 9.1 V |
| 齐纳电压容差 | 5 % |
| 最大功率耗散 | 500 mW |
| 最大反向漏泄电流 | 3 uA |
| 典型电压温度系数 | 0.068(Max) %/°C |
| 工作温度 | -65 to 200 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 电流 - Vr时反向漏电 | 3µA @ 7V |
| 电压 - 齐纳（额定值）（Vz ） | 9.1V |
| 电压 - 正向（Vf） （最大） | 1.2V @ 200mA |
| 供应商设备封装 | DO-35 |
| 封装 | Bulk |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 阻抗（最大值）（Zzt ） | 10 Ohm |
| 安装类型 | Through Hole |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AH, DO-35, Axial |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 产品种类 | Zener Diodes |
| 齐纳电流 | 20 mA |
| 齐纳电压 | 9.1 V |
| 最大齐纳阻抗 | 10 Ohms |
| 系列 | 1N5239B |
| 电压温度系数 | 0.068 %/C |
| 单位重量 | 0.004445 oz |
| 电压容差 | 5 % |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | DO-35 |
| 零件号别名 | 1N5239B_NL |
| 最高工作温度 | + 200 C |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 工作温度范围 | -65C to 200C |
| 包装类型 | DO-35 |
| 引脚数 | 2 |
| 冯页次 | 0.003 mA |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 拐点阻抗 | 10Ohm |
| 齐纳电压（典型值） | 9.1V |
| 齐纳测试电流 | 20mA |
| 删除 | Compliant |
| Ir - Reverse Current | 3 uA |
| 端接类型 | Axial |
| 宽度 | 1.91 mm |
| 测试电流 | 20 mA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| Zz - Zener Impedance | 10 Ohms |
| 长度 | 4.56 mm |
| 身高 | 1.91 mm |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| Vz - Zener Voltage | 9.1 V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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