fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 供应商封装形式 | DO-35 |
| 标准包装名称 | DO-204-AH |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 200 |
| 最大齐纳阻抗 | 7 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 最大反向漏泄电流 | 5 |
| Package Diameter | 1.91(Max) |
| ESD保护 | No |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标称齐纳电压 | 6.2 |
| 齐纳电压容差 | 2% |
| Package Width | 4.56(Max) |
| 安装 | Through Hole |
| PCB | 2 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 配置 | Single |
| 测试电流 | 20 |
| 引脚数 | 2 |
| 最大功率耗散 | 500 |
| 电流 - Vr时反向漏电 | 5µA @ 4V |
| 电压 - 齐纳（额定值）（Vz ） | 6.2V |
| 电压 - 正向（Vf） （最大） | 1.1V @ 200mA |
| 标准包装 | 5,000 |
| 供应商设备封装 | DO-35 |
| 工作温度 | 200°C |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 阻抗（最大值）（Zzt ） | 7 Ohm |
| 安装类型 | Through Hole |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AH, DO-35, Axial |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 齐纳电压 | 6.2 V |
| 最大齐纳阻抗 | 7 Ohms |
| 最大反向漏泄电流 | 5 uA |
| 单位重量 | 0.004445 oz |
| 电压容差 | 2 % |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | DO-35 |
| 零件号别名 | 1N5234CTR_NL |
| 最高工作温度 | + 200 C |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf) | 1.1V @ 200mA |
| 容差 | ±2% |
| 操作温度 | 200°C |
| 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 | 5µA @ 4V |
| 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 6.2V |
| 封装/外壳 | DO-204AH, DO-35, Axial |
| 装配类型 | Through Hole |
| 功率 - 最大值 | 500mW |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 7 Ohm |
| 封装类型 | DO-35 |
| Board Level Components | Y |
| 额定齐纳电压 | 6.2V |
| 引脚数目 | 2 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 最大反向漏电流 | 5µA |
| 最大功率耗散 | 500 mW |
| 尺寸 | 1.91 (Dia.) x 4.56mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 齐纳电压容差 | 2% |
| 最高工作温度 | +200 °C |
| 长度 | 4.56mm |
| 齐纳类型 | 通用 |
| 最大齐纳阻抗 | 7Ω |
| 直径 | 1.91mm |
| 二极管配置 | 单路 |
| 测试电流 | 20mA |
| 产品 | Zener Diode |
| 齐纳电流 | 5 uA |
| 直径 | 1.91 mm |
| 系列 | 1N5234C |
| Ir - Reverse Current | 5 uA |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| Zz - Zener Impedance | 7 Ohms |
| 长度 | 4.56 mm |
| Vf - Forward Voltage | 1.1 V at 0.2 A |
| Vz - Zener Voltage | 6.2 V |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 测试电流 | 20 mA |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
