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厂商型号:

1N4737ATR

芯天下内部编号:
3-1N4737ATR
生产厂商:

fairchild semiconductor

microsemi
描述:
D
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 2DO-41
配置 Single
标称齐纳电压 7.5 V
齐纳电压容差 5 %
最大功率耗散 1000 mW
最大反向漏泄电流 10 uA
工作温度 -65 to 200 °C
安装 Through Hole
标准包装 Cut Tape
供应商封装形式 DO-41
标准包装名称 DO-204-AL
欧盟RoHS指令 Compliant
Maximum Operating Temperature 200
最大齐纳阻抗 4
最大反向漏泄电流 10
Package Diameter 2.72(Max)
ESD保护 No
封装 Tape and Reel
标称齐纳电压 7.5
最大功率耗散 1000
PCB 2
包装长度 5.21(Max)
最低工作温度 -65
测试电流 34
引脚数 2
铅形状 Through Hole
电流 - Vr时反向漏电 10µA @ 5V
电压 - 齐纳(额定值)(Vz ) 7.5V
供应商设备封装 DO-41
功率 - 最大 1W
阻抗(最大值)(Zzt ) 4 Ohm
安装类型 Through Hole
容差 ±5%
封装/外壳 DO-204AL, DO-41, Axial
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 1N4737AFSCT
工厂包装数量 3000
产品种类 Zener Diodes
齐纳电流 34 mA
齐纳电压 7.5 V
最大齐纳阻抗 4 Ohms
系列 1N4737A
单位重量 0.008642 oz
电压容差 5 %
功率耗散 1 W
安装风格 Through Hole
封装/外壳 DO-41
零件号别名 1N4737ATR_NL
最高工作温度 + 200 C
最低工作温度 - 65 C
RoHS RoHS Compliant
工作温度范围 -65C to 200C
包装类型 DO-41
冯页次 0.01 mA
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
拐点阻抗 4Ohm
齐纳电压(典型值) 7.5V
齐纳测试电流 34mA
删除 Compliant
封装类型 DO-41
齐纳电压容差 5%
额定齐纳电压 7.5V
安装类型 通孔
最大反向漏电流 10µA
最低工作温度 -65 °C
最大功率耗散 1 W
尺寸 2.72 (Dia.) x 5.2mm
每片芯片元件数目 1
引脚数目 2
最高工作温度 +200 °C
长度 5.2mm
齐纳类型 通用
最大齐纳阻抗
直径 2.72mm
二极管配置 单路
测试电流 34mA
Ir - Reverse Current 10 uA
端接类型 Axial
测试电流 34 mA
产品 Zener Diode
品牌 Fairchild Semiconductor
Zz - Zener Impedance 4 Ohms
长度 5.2 mm
直径 2.72 mm
Pd - Power Dissipation 1 W
Vz - Zener Voltage 7.5 V

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