renesas electronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8HVSON |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 最大连续漏极电流 | 42 A |
| RDS -于 | 23@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 28 ns |
| 典型上升时间 | 13 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 73 ns |
| 典型下降时间 | 11 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 42A (Tc) |
| 封装/外壳 | 8-VDFN Exposed Pad |
| 供应商设备封装 | 8-DFN3333 (3.3x3.3) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 23 mOhm @ 21A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2100pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 40nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | UPA2763T1A-E1-AYDKR |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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