renesas electronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-252 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大连续漏极电流 | 90 A |
| RDS -于 | 4@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 17 ns |
| 典型上升时间 | 13 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 74 ns |
| 典型下降时间 | 8 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| Confezione fornitore | TO-252 |
| Montaggio | Surface Mount |
| Resistenza di sorgente di drain massima | 4@10V |
| TIPO二运河 | N |
| 每个芯片NUMERO二培元 | 1 |
| Package Width | 6.1 |
| Modalità canale | Enhancement |
| PCB | 2 |
| Massima tensione di drain alla fonte | 40 |
| Tensione di fonte gate massima | ±20 |
| 符合UE | Compliant |
| Categoria | Power MOSFET |
| Dissipazione massima della potenza | 1200 |
| Corrente di drain continua massima | 90 |
| 诺姆标准苏拉confezione | DPAK |
| Temperatura d'esercizio minima | -55 |
| 经conduttore | Gull-wing |
| NUMERO DEI针 | 3 |
| Confezione | Tape and Reel |
| Package Length | 6.5 |
| Package Height | 2.3 |
| Massima temperatura d'esercizio | 175 |
| 标签 | Tab |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 90A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | TO-252 |
| 其他名称 | NP90N04VLG-E1-AYTR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 4 mOhm @ 45A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.2W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 6900pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 135nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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