renesas electronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-263 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大连续漏极电流 | 80 A |
| RDS -于 | 8@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 24 ns |
| 典型上升时间 | 14 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 44 ns |
| 典型下降时间 | 15 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| P（ TOT ） | 200W |
| 匹配代码 | NP80N04KHE-E1-AY |
| R（ THJC ） | 1.25K/W |
| LogicLevel | NO |
| 单位包 | 800 |
| 标准的提前期 | 24 weeks |
| 最小起订量 | 3200 |
| Q（克） | 60nC |
| LLRDS （上） | n.s.Ohm |
| 汽车 | AEC-Q(100) |
| LLRDS （上）在 | n.s.V |
| 我（D ） | 80A |
| V（ DS ） | 40V |
| 技术 | n.s. |
| 的RDS（on ） at10V | 0.008Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 80A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商设备封装 | TO-263 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 8 mOhm @ 40A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.8W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3300pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 60nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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