renesas electronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | -55 |
| Package Height | 1.4(Max) |
| 安装 | Surface Mount |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| 渠道类型 | P |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 9.7@10V |
| 最大漏源电压 | 40 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Package Width | 5.4 |
| 筛选等级 | Automotive |
| 供应商封装形式 | HSON |
| Package Length | 5.15 |
| PCB | 8 |
| 最大连续漏极电流 | 75 |
| 引脚数 | 8 |
| P（ TOT ） | 138W |
| 匹配代码 | NP75P04YLG-E1-AY |
| R（ THJC ） | 1.09K/W |
| LogicLevel | YES |
| 包装 | HSON-8 |
| 单位包 | 2500 |
| 标准的提前期 | 22 weeks |
| 最小起订量 | 2500 |
| Q（克） | 94nC |
| LLRDS （上） | 0.013Ohm |
| 汽车 | AEC-Q(100) |
| LLRDS （上）在 | 5V |
| 我（D ） | -75A |
| V（ DS ） | -40V |
| 技术 | NP-Series |
| 的RDS（on ） at10V | 0.0107Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 75A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| 供应商设备封装 | 8-HSON |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 9.7 mOhm @ 37.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4800pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 140nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | NP75P04YLG-E1-AYDKR |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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