renesas electronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-263 |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大连续漏极电流 | 100 A |
| RDS -于 | 6@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 28 ns |
| 典型上升时间 | 35 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 275 ns |
| 典型下降时间 | 100 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 100A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商设备封装 | TO-263 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6 mOhm @ 50A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.8W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 15000pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 300nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 连续漏极电流 | 100 A |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 功率耗散 | 1.8 W |
| 漏源导通电阻 | 0.006 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | TO-263 |
| 引脚数 | 2 +Tab |
| 极性 | P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 60 V |
| 弧度硬化 | No |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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