图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 HAF1002(L,S) |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 15A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 90 mOhm @ 7.5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | - |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | - |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | - |
| 功率 - 最大 | 50W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SC-83 |
| 供应商器件封装 | 4-LDPAK |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3LDPAK(S)-(1) |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大连续漏极电流 | 15 A |
| RDS -于 | 90@10V mOhm |
| 最大门源电压 | 3 V |
| 典型导通延迟时间 | 7500 ns |
| 典型上升时间 | 36000 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 32000 ns |
| 典型下降时间 | 29000 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | 3 |
| 包装宽度 | 8.6 |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 50000 |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 90@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | LDPAK(S)-(1) |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 10.2 |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 4.44 |
| 最大连续漏极电流 | 15 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 15A (Ta) |
| 封装/外壳 | SC-83 |
| 供应商设备封装 | 4-LDPAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 90 mOhm @ 7.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 50W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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