所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 电流 - 集电极( Ic)(最大) | 150mA |
| 晶体管类型 | 2 PNP (Dual) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 140MHz |
| 下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 500mV @ 5mA, 50mA |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
| 供应商设备封装 | UMT6 |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 120 @ 1mA, 6V |
| 其他名称 | UMT2NCT |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 增益带宽产品fT | 140 MHz |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | - 6 V |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 120 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 560 |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 60 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 集电极最大直流电流 | 0.15 A |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | - 150 mA |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :50V |
| Transition Frequency ft | :140MHz |
| 功耗 | :150mW |
| DC Collector Current | :-150mA |
| DC Current Gain hFE | :120 |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOT-363 |
| No. of Pins | :6 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (19-Dec-2012) |
| Collector Emitter Voltage Vces | :-500mV |
| Current Ic Continuous a Max | :50mA |
| Gain Bandwidth ft Typ | :140MHz |
| Hfe Min | :120 |
| Module Configuration | :Dual |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Weight (kg) | 0.000035 |
| Tariff No. | 85412100 |
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