ROHM Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.5A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 供应商设备封装 | 8-TSST |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 84 mOhm @ 2.5A, 10V |
| FET型 | 2 P-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 1.25W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 460pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 4.8nC @ 5V |
| 封装/外壳 | 8-SMD, Flat Lead |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | TT8J2CT |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 连续漏极电流 | 2.5 A |
| 功率耗散 | 1.25 W |
| 封装/外壳 | TSST-8 |
| 漏源击穿电压 | - 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 4.8 nC |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 30 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | - 1 V |
| Qg - Gate Charge | 4.8 nC |
| 下降时间 | 14 ns |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 通道数 | 2 Channel |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 2 P-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 1.8 S |
| Id - Continuous Drain Current | - 2.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 60 mOhms |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 1.25 W |
| 上升时间 | 20 ns |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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