ROHM Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 1mA |
| 供应商设备封装 | TSMT3 |
| 其他名称 | RZR040P01TLTR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 30 mOhm @ 4A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 12V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2350pF @ 6V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 30nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | 10 V |
| 连续漏极电流 | - 4 A |
| 正向跨导 - 闵 | 6.5 S |
| RDS（ON） | 22 mOhms |
| 功率耗散 | 1 W |
| 封装/外壳 | TSMT3 |
| 典型关闭延迟时间 | 380 ns |
| 漏源击穿电压 | - 12 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 30 nC |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 2.9mm |
| 典型输入电容值@Vds | 2350 pF @ -6V |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 0.85mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 110 mΩ |
| 最大栅阈值电压 | 1V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | P |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 最大栅源电压 | ±10 V |
| 宽度 | 1.6mm |
| 尺寸 | 2.9 x 1.6 x 0.85mm |
| 最大漏源电压 | 12 V |
| 典型接通延迟时间 | 11 ns |
| 典型关断延迟时间 | 380 ns |
| 封装类型 | TSMT |
| 最大连续漏极电流 | 4 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 30 nC @ 4.5 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Id - Continuous Drain Current | - 4 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 22 mOhms |
| 系列 | RZR040P01 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 12 V |
| Qg - Gate Charge | 30 nC |
| 技术 | Si |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | - 1 V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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