ROHM Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| P（ TOT ） | 2W |
| 匹配代码 | RSS100N03FU6TB |
| 安装 | SMD |
| LogicLevel | YES |
| 包装 | SOP-8 |
| 单位包 | 2500 |
| 标准的提前期 | 18 weeks |
| 最小起订量 | 2500 |
| Q（克） | 20nC |
| LLRDS （上） | 0.189Ohm |
| 汽车 | NO |
| LLRDS （上）在 | 4V |
| 我（D ） | 10A |
| V（ DS ） | 30V |
| 的RDS（on ） at10V | 0.0133Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 10A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 供应商设备封装 | 8-SOP |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 13 mOhm @ 10A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1070pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 14nC @ 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 10 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 13 mOhms |
| 功率耗散 | 2 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 上升时间 | 16 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 24 ns |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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