ROHM Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 单位包 | 2500 |
| 最小起订量 | 2500 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 9A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 供应商设备封装 | 8-SOP |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 14 mOhm @ 9A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4000pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 39nC @ 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 9 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 14 mOhms |
| 功率耗散 | 2 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 典型关闭延迟时间 | 150 ns |
| 上升时间 | 50 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | - 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 80 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 宽度 | 4.4 mm |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | - 9 A |
| 长度 | 5 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 14 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
| 系列 | RSS090P03 |
| 身高 | 1.5 mm |
| 典型导通延迟时间 | 25 ns |
| Pd - Power Dissipation | 2 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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