ROHM Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Bulk |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 8A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 1mA |
| 供应商设备封装 | TO-220FM |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 850 mOhm @ 4A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 40W |
| 标准包装 | 500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 920pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 28nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 连续漏极电流 | 8 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 650 mOhms |
| 功率耗散 | 40 W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 FP |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 28 nC |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Id - Continuous Drain Current | 8 A |
| Qg - Gate Charge | 28 nC |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| Pd - Power Dissipation | 40 W |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 650 mOhms |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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