ROHM Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 1.5A |
| 晶体管类型 | NPN, PNP (Emitter Coupled) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 300MHz, 280MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 350mV @ 50mA, 1A / 370mV @ 50mA, 1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA (ICBO) |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| 供应商设备封装 | TSMT5 |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 1.25W |
| 封装/外壳 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 270 @ 100mA, 2V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | QSZ2CT |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz at NPN, 280 MHz at PNP |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 最大功率耗散 | 1250 mW |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 270 at 100 mA at 2 V |
| 集电极最大直流电流 | 1.5 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 30 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 频率 - 跃迁 | 300MHz, 280MHz |
| 供应商器件封装 | TSMT5 |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 350mV @ 50mA, 1A / 370mV @ 50mA, 1A |
| 晶体管类型 | NPN, PNP (Emitter Coupled) |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA (ICBO) |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 270 @ 100mA, 2V |
| 封装/外壳 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
| 功率 - 最大值 | 1.25W |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 1.5A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 30V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 140 mV, - 200 mV |
| 直流电流增益hFE最大值 | 270 at 100 mA at 2 V |
| 系列 | QSZ2 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 身高 | 0.85 mm |
| 长度 | 2.9 mm |
| Pd - Power Dissipation | 1.25 W |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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