ROHM Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 产品种类 | Transistors Switching - Resistor Biased |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 配置 | Dual |
| 晶体管极性 | PNP |
| 典型输入电阻 | 2.2 KOhms |
| 典型电阻器比率 | 0.048 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | SC-74-6 |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 80 |
| 连续集电极电流 | - 100 mA |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 封装 | Reel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| P（ TOT ） | 0.3W |
| 匹配代码 | IMB10A |
| I（C ） | 0.1A |
| V（ CEO ） | 50V |
| 包装 | SMT6 |
| 单位包 | 3000 |
| 标准的提前期 | 16 weeks |
| 最小起订量 | 3000 |
| 极化 | PNP/PNP |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 电流增益 | 30 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| 频率 - 转换 | 250MHz |
| 电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆） | 2.2k |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | SMT6 |
| 电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆） | 47k |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 80 @ 10mA, 5V |
| 其他名称 | IMB10AT110TR |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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