ROHM Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 单位包 | 8000 |
| 最小起订量 | 8000 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 100mA, 200mA |
| 供应商设备封装 | EMT6 |
| 其他名称 | EM6M1T2RTR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
| FET型 | N and P-Channel |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 标准包装 | 8,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V, 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 13pF @ 5V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 0.9nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | SOT-563, SOT-666 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 连续漏极电流 | 0.1 A |
| 功率耗散 | 0.15 W |
| 封装/外壳 | EMT6 |
| 配置 | Dual |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V, 20V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 13pF @ 5V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 0.9nC @ 4.5V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | N and P-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-563, SOT-666 |
| 功率 - 最大值 | 150mW |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V, - 20 V |
| 系列 | EM6M1 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | 100 mA, - 200 mA |
| 通道数 | 2 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 8 Ohms |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
