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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

DTC114GKAT146 

产品描述

Transistors Switching - Resistor Biased NPN 50V 100MA

内部编号

293-DTC114GKAT146

生产厂商

ROHM Semiconductor

rohm

#1

数量:7520
1+¥1.397
10+¥1.2852
25+¥1.1679
100+¥0.8417
250+¥0.4957
500+¥0.4116
1000+¥0.2806
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DTC114GKAT146产品详细规格

规格书 DTC114GKAT146 datasheet 规格书
DTC114GxA
DTC114GKAT146 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
电阻 - 基地(R1)(欧姆) 10k
电阻器 - 发射基地(R2)(欧姆) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 30 @ 5mA, 5V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 300mV @ 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大) -
频率转换 250MHz
功率 - 最大 200mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 3-SMT
包装材料 Tape & Reel (TR)
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
频率 - 转换 250MHz
电阻器 - 基( R1 ) (欧姆) 10k
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 300mV @ 500µA, 10mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 SMT3
封装 Tape & Reel (TR)
功率 - 最大 200mW
标准包装 3,000
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型 Surface Mount
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 30 @ 5mA, 5V
其他名称 DTC114GKAT146CT
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
产品种类 Transistors Switching - Resistor Biased
晶体管极性 NPN
工厂包装数量 3000
直流集电极/增益hfe最小值 30
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 发射极最大电压VCEO 50 V
功率耗散 200 mW
峰值直流集电极电流 100 mA
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 100 mA
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :50V
Transition Frequency ft :250MHz
功耗 :200mW
DC Collector Current :10mA
DC Current Gain hFE :30
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-346
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Vces :300mV
Current Ic Continuous a Max :10mA
Gain Bandwidth ft Typ :250MHz
Hfe Min :30
工作温度范围 :-55°C to +150°C
端接类型 :SMD
Weight (kg) 0.000032
Tariff No. 85412100

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