ROHM Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 250MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 650mV @ 5mA, 100mA |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| 供应商设备封装 | UMT3 |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 封装/外壳 | SC-70, SOT-323 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 210 @ 2mA, 5V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | - 0.6 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | - 5 V |
| 最大功率耗散 | 0.35 W |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 210 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 480 |
| 增益带宽产品fT | 250 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 30 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | - 30 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 集电极最大直流电流 | 0.1 A |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | - 0.1 A |
| 宽度 | 1.25 mm |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 长度 | 2 mm |
| 系列 | BC858BW |
| 身高 | 0.8 mm |
| Pd - Power Dissipation | 0.35 W |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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