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数量:1575 |
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| 规格书 |
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| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | N and P-Channel |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 100V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 3A, 2.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | - |
| VGS（TH）（最大）@ Id | - |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | - |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | - |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3A, 2.5A |
| 供应商设备封装 | 8-SOP |
| 其他名称 | SP8M51TB1TR |
| FET型 | N and P-Channel |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 连续漏极电流 | 3 A |
| 功率耗散 | 2 W |
| 封装/外壳 | SOP-8 |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| P（ TOT ） | 2 W |
| Logic level | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 3 A |
| 包装 | SOP8 |
| 安装 | SMD |
| Q（克） | 8.5 nC |
| Configuartion | N+P-CH |
| 汽车 | NO |
| RDS(on)at 10V | 180 mOhm |
| V（ DS ） | 100 V |
| Leadfree Defin | RoHS-conform |
| Fast bodydiode | NO |
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