SH8M5TB1

产品描述

MOSFET Nch+Pch 30V/-30V 6A/-7A; MOSFET

内部编号

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数量:40

最小起订量:1
美国费城
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规格书
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	2,500
FET 型	N and P-Channel
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	6A, 7A
Rds（最大）@ ID，VGS	30 mOhm @ 6A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	2.5V @ 1mA
栅极电荷（Qg）@ VGS	7.2nC @ 5V
输入电容（Ciss）@ Vds的	520pF @ 10V
功率 - 最大	2W
安装类型	Surface Mount
包/盒	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装	8-SOP
包装材料	Tape & Reel (TR)
单位包	2500
最小起订量	2500
FET特点	Logic Level Gate
封装	Tape & Reel (TR)
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	6A, 7A
的Vgs（th ）（最大）@ Id	2.5V @ 1mA
供应商设备封装	8-SOP
其他名称	SH8M5TB1TR
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	30 mOhm @ 6A, 10V
FET型	N and P-Channel
功率 - 最大	2W
标准包装	2,500
漏极至源极电压（Vdss）	30V
输入电容（Ciss ） @ VDS	520pF @ 10V
闸电荷（Qg ） @ VGS	7.2nC @ 5V
封装/外壳	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
安装风格	SMD/SMT
产品种类	MOSFET
晶体管极性	N and P-Channel
连续漏极电流	6 A
正向跨导 - 闵	4 S
RDS（ON）	33 mOhms
功率耗散	2 W
封装/外壳	SOP-8
最高工作温度	+ 150 C
漏源击穿电压	30 V
RoHS	RoHS Compliant
工厂包装数量	2500
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
品牌	ROHM Semiconductor
Id - Continuous Drain Current	6 A
通道数	2 Channel
技术	Si
Rds On - Drain-Source Resistance	33 mOhms
Pd - Power Dissipation	2 W
晶体管类型	1 N-Channel, 1 P-Channel

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