图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 SH8J62 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1 |
| FET 型 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 4.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 56 mOhm @ 4.5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 8nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 800pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 包装材料 | Cut Tape (CT) |
| 单位包 | 2500 |
| 最小起订量 | 2500 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4.5A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 供应商设备封装 | 8-SOP |
| 其他名称 | SH8J62TB1TR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 56 mOhm @ 4.5A, 10V |
| FET型 | 2 P-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 800pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 8nC @ 5V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 连续漏极电流 | 4.5 A |
| 正向跨导 - 闵 | 3.5 S |
| RDS（ON） | 60 mOhms |
| 功率耗散 | 2 W |
| 封装/外壳 | SOP-8 |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | - 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 30 V |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | - 4.5 A |
| Pd - Power Dissipation | 2 W |
| 技术 | Si |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 60 mOhms |
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