Rohm Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 10A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 900µA |
| 供应商设备封装 | TO-247 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 585 mOhm @ 3A, 18V |
| FET型 | SiCFET N-Channel, Silicon Carbide |
| 功率 - 最大 | 85W |
| 标准包装 | 360 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 1200V (1.2kV) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 463pF @ 800V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 27nC @ 18V |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | - 6 V to 22 V |
| 连续漏极电流 | 10 A |
| 正向跨导 - 闵 | 1 S |
| RDS（ON） | 450 mOhms |
| 功率耗散 | 85 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 栅极电荷Qg | 27 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 上升时间 | 17 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 1200 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 34 ns |
| Continuous Drain Current Id | :10A |
| Drain Source Voltage Vds | :1.2kV |
| On Resistance Rds(on) | :0.45ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :18V |
| Threshold Voltage Vgs | :1.6V |
| 功耗 | :85W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :175°C |
| Transistor Case Style | :TO-247 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| Weight (kg) | 0.006 |
| Tariff No. | 85359000 |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 10A (Tc) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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