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| 规格书 |
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| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 12V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 20A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | - |
| VGS（TH）（最大）@ Id | - |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | - |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | - |
| 功率 - 最大 | 20W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | CPT3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 20A (Ta) |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商设备封装 | CPT3 |
| 其他名称 | RZY200P01TLTR |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 20W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 12V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 连续漏极电流 | 20 A |
| 功率耗散 | 20 W |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | - 12 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 12 V |
| 技术 | Si |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | - 20 A |
| Pd - Power Dissipation | 20 W |
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