Rohm Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 1mA |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | TSMT3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 190 mOhm @ 2A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 540mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 45V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 500pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 4.5nC @ 4.5V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2A (Ta) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 漏源极电压 (Vdss) | 45V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 500pF @ 10V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 190 mOhm @ 2A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 4.5nC @ 4.5V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 功率 - 最大值 | 540mW |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 45 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Qg - Gate Charge | 9.5 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 下降时间 | 10 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 1.2 S |
| Id - Continuous Drain Current | - 2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 130 mOhms |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 通道模式 | Enhancement |
| 系列 | RSR020P05 |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| 上升时间 | 10 ns |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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