图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 RSQ015N06 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 1.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 290 mOhm @ 1.5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 2nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 110pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1.25W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | TSMT6 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Logic Level Gate, 4V Drive |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.5A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 供应商设备封装 | TSMT6 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 290 mOhm @ 1.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.25W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 110pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 3.5nC @ 10V |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | RSQ015N06CT |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续漏极电流 | 1.5 A |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 功率耗散 | 1.25 W |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TSMT |
| 引脚数 | 6 |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源导通电压 | 60 V |
| 弧度硬化 | No |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| Qg - Gate Charge | 3.5 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 下降时间 | 10 ns |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 1 S |
| Id - Continuous Drain Current | 1.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 210 mOhms |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 系列 | RSQ015N06 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 1.25 W |
| 上升时间 | 9 ns |
| 技术 | Si |
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