图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:4243 |
|
最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
|
|||||||||||||||||||
#2 |
数量:3870 |
|
最小起订量:1 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
|||||||||||||||||||
#3 |
数量:1 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 RRR040P03 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 4A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 45 mOhm @ 4A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 10.5nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1000pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | TSMT3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Logic Level Gate, 4V Drive |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 供应商设备封装 | TSMT3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 45 mOhm @ 4A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1000pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 10.5nC @ 5V |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | RRR040P03TLCT |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 30 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 |
| Qg - Gate Charge | 10.5 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 下降时间 | 45 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 2.7 S |
| Id - Continuous Drain Current | - 4 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 32 mOhms |
| 典型关闭延迟时间 | 85 ns |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| 上升时间 | 30 ns |
| 技术 | Si |
RRR040P03TL也可以通过以下分类找到
RRR040P03TL相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
