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| 规格书 |
 RMW200N03 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 20A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 4.2 mOhm @ 20A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 29nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1780pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 3W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SMD, Flat Lead |
| 供应商器件封装 | 8-PSOP |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 20A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 供应商设备封装 | 8-PSOP |
| 其他名称 | RMW200N03TBTR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 4.2 mOhm @ 20A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1780pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 29nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SMD, Flat Lead |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 20 A |
| RDS（ON） | 4.2 mOhms |
| 功率耗散 | 3 W |
| 封装/外壳 | PSOP-8 |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1780pF @ 15V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 4.2 mOhm @ 20A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 29nC @ 10V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 封装/外壳 | 8-SMD, Flat Lead |
| 功率 - 最大值 | 3W |
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